硅單晶拉制設備的溫度控制技術(shù)分析

發(fā)布日期：2023-09-17      瀏覽次數(shù)：1116

硅單晶拉制設備的溫度控制技術(shù)分析

在坩堝中熔化多晶硅時的溫度控制以及晶種后旋轉(zhuǎn)和提拉時的溫度控制。
從提升裝置的視口進行溫度測量。



單晶硅提拉過程中的溫度控制。

目的

如果多晶硅在坩堝中熔化或提拉的溫度不穩(wěn)定，則難以生產(chǎn)高純度的單晶，質(zhì)量也不穩(wěn)定。
溫度是單晶化的重要因素，能夠非接觸式測量的輻射溫度計極其重要。

客戶的要求

我們希望通過準確捕獲熔化溫度來捕獲結(jié)晶開始的點。
雖然測量距離往往比較長，但目標尺寸必須相對較小。換句話說，長距離需要小光斑類型。
由于環(huán)境溫度很高，因此耐熱溫度越高越好。

選型要點

對于硅的溫度測量，最好在1.1μm或更小的波長下測量溫度，該波長因溫度而導致的發(fā)射率變化很小。
FTKX系列和FLHX系列適合長距離和小光斑類型（φ0.15~）。光纖頭結(jié)構(gòu)緊湊，耐熱溫度為150℃，即使在環(huán)境溫度稍高的情況下也能安裝。
由于頭部是分離型，因此不需要輻射熱對策。

選定型號

• NEW! 1ms光纖型
  半定制型，可在惡劣環(huán)境和狹窄空間使用。

  

  光纖式輻射溫度計FTKX系列

  測量溫度范圍：100℃～2000℃

• 纖維類型（耐熱/耐磁場）

• 高溫

• 對于石英以上

• 0.1ms/1ms快速響應

• 用于金屬

• NEW! 1ms輻射溫度計，其規(guī)格可根據(jù)測量對象而改變

  

  無纖維輻射溫度計FLHX系列

  測量溫度范圍：90℃～2000℃

• 高溫

• 對于石英以上

• 0.1ms/1ms快速響應

• 用于金屬