超薄材料測量該選誰？富士FT-A200R與Yamabun TOF-C2實(shí)測對比

發(fā)布日期：2025-08-12      瀏覽次數(shù)：194

在超薄材料測量領(lǐng)域，富士FT-A200R和Yamabun TOF-C2代表了兩種不同的技術(shù)路線——接觸式機(jī)械測量與非接觸電容式測量。以下是基于實(shí)測數(shù)據(jù)的深度對比分析，幫助用戶根據(jù)具體需求選擇優(yōu)方案：

一、核心參數(shù)對比

指標(biāo)	富士FT-A200R	Yamabun TOF-C2
測量原理	接觸式機(jī)械探頭（可調(diào)壓力0.3N）	非接觸電容式（自動介電補(bǔ)償）
測量范圍	3μm–100μm	0–500μm
分辨率	0.01μm	0.01μm
重復(fù)精度	0.05μm	未明確（實(shí)測約±0.03μm）
適用材料	硬質(zhì)/脆性材料（硅片、陶瓷膜）	軟膜/粘性材料（柔性電路板、膠帶）
溫度穩(wěn)定性	±0.2μm/℃（需恒溫環(huán)境）	±0.01μm/℃（內(nèi)置溫漂補(bǔ)償）
產(chǎn)線適配性	支持RS232C輸出，可集成至分切機(jī)	臺式設(shè)計(jì)，適合實(shí)驗(yàn)室離線測量

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二、實(shí)測性能表現(xiàn)

1. 超薄電子膜（如半導(dǎo)體抗蝕劑）

• 富士FT-A200R：

• 實(shí)測3μm硅片厚度時，重復(fù)性誤差僅±0.02μm，線性度±0.2%。

• 優(yōu)勢：可調(diào)壓力避免劃傷晶圓，適合硬質(zhì)材料。

• 局限：對柔性材料（如PI膜）可能因壓力導(dǎo)致形變誤差。

• Yamabun TOF-C2：

• 測量5μm柔性銅箔時，電容式探頭無接觸變形，但介電常數(shù)波動可能導(dǎo)致±0.05μm偏差。

• 優(yōu)勢：自動介電補(bǔ)償功能減少材料特性影響。

• 局限：多層復(fù)合材料（如Cu/PI/Cu）可能因介電層干擾讀數(shù)。

2. 表面粗糙度適應(yīng)性

• 富士：粗糙表面（Ra>0.1μm）下，探頭可能因接觸不均導(dǎo)致數(shù)據(jù)波動（實(shí)測誤差值+0.1μm）。

• Yamabun：電容式對表面粗糙度容忍度更高（Ra<0.5μm時誤差值<0.03μm）。

3. 測量效率

• 富士：連續(xù)測量模式可達(dá)100點(diǎn)/分鐘，適合在線檢測。

• Yamabun：單點(diǎn)測量需手動定位，速度約20點(diǎn)/分鐘。

三、選型決策樹

1. 材料類型：

• 硬質(zhì)/脆性材料（硅片、玻璃鍍膜）→ 富士FT-A200R

• 軟膜/粘性材料（FPC、膠帶）→ Yamabun TOF-C2

2. 測量環(huán)境：

• 產(chǎn)線在線集成 → 富士（RS232C輸出，抗振動設(shè)計(jì)）

• 實(shí)驗(yàn)室高精度 → Yamabun（溫控更優(yōu)）

四、行業(yè)案例驗(yàn)證

• 半導(dǎo)體廠A：采用富士FT-A200R測量10μm氮化硅膜，良率提升15%（接觸式壓力穩(wěn)定）。

• 柔性電路板廠B：Yamabun TOF-C2測量8μm PI基材，避免傳統(tǒng)接觸式探頭導(dǎo)致的材料拉伸問題。

五、結(jié)論

• 富士FT-A200R是超薄硬質(zhì)材料測量的標(biāo)，尤其適合半導(dǎo)體、陶瓷膜等場景。

• Yamabun TOF-C2在柔性/粘性薄膜領(lǐng)域更具優(yōu)勢，且操作更簡便。

若預(yù)算允許，建議雙機(jī)配置：富士用于工藝控制，Yamabun用于材料研發(fā)驗(yàn)證。