日本advance2ω法納米薄膜熱導儀TCN-2ω

該設(shè)備是世界上唯yi使用2ω方法測量納米薄膜在厚度方向上的導熱率的商用設(shè)備。與其他方法相比，樣品的生產(chǎn)和測量更加容易。

使用

• 量化低K絕緣膜的熱阻，以用于半導體器件的熱設(shè)計
• 絕緣膜的開發(fā)和散熱的改善
• 在熱電薄膜中的應用評價

特征

• 可以測量在基板上形成的20至1000nm的薄膜的厚度方向上的熱導率。
• 使用熱反射法通過溫度幅度檢測實現(xiàn)測量
• 易于預處理的測量樣品

日本advance2ω法納米薄膜熱導儀TCN-2ω

規(guī)格

測量原理

關(guān)于“在絕熱邊界條件下通過2ω法評估薄片樣品的導熱系數(shù)”的論文

當金屬薄膜以f / Hz的頻率加熱時，加熱量變化為2f / Hz。
在充分散熱的條件下，金屬薄膜（0）–薄膜（1）–基板（s）的三層系統(tǒng)中金屬薄膜表面的溫度變化T（0）是一維的穿過金屬薄膜/薄膜，以下公式用于表示傳熱模型的解析解。

（Λ：導熱率W m ^-1 K ^-1，C：體積比熱容JK ^-1 m ^-3，q：每體積的熱量W m ^-3，d：厚度m，ω：角頻率（=2πf） / s ^-1）

由于實數(shù)解（同相振幅）包含薄膜的信息，因此在相同條件下以不同頻率進行測量時，同相振幅與（2ω）^-0.5成比例。
的熱導率λ ₁所述的薄膜是通過以下公式獲得。
（M：斜率，n：截距）

Si基板上的SiO ₂薄膜（20-100 nm）的示例